近日(ri)，中(zhong)國(guo)科學院微電子研究(jiu)所集(ji)成電路(lu)先(xian)導工藝研發中(zhong)心在極紫外光刻基板(ban)缺陷補償方(fang)面(mian)取得進展。

與采用(yong)(yong)波長193nm的(de)(de)(de)(de)深紫(zi)外（DUV）光(guang)(guang)刻使用(yong)(yong)的(de)(de)(de)(de)掩(yan)模(mo)(mo)不同(tong)，極紫(zi)外（EUV）光(guang)(guang)刻的(de)(de)(de)(de)掩(yan)模(mo)(mo)采用(yong)(yong)反(fan)射(she)式設計，其結構由大約40層(ceng)Mo和Si組成的(de)(de)(de)(de)多層(ceng)膜(mo)構成。在浸沒式光(guang)(guang)刻技(ji)術的(de)(de)(de)(de)技(ji)術節點上(shang)，基板(ban)制(zhi)造和掩(yan)模(mo)(mo)制(zhi)造已足(zu)夠成熟，掩(yan)模(mo)(mo)缺陷(xian)的(de)(de)(de)(de)密度和尺(chi)寸(cun)都(dou)在可接(jie)受的(de)(de)(de)(de)水平(ping)。但是(shi)在EUV光(guang)(guang)刻系(xi)統(tong)中，由于反(fan)射(she)率(lv)及(ji)掩(yan)模(mo)(mo)陰影效應的(de)(de)(de)(de)限制(zhi)，掩(yan)模(mo)(mo)基板(ban)缺陷(xian)是(shi)影響光(guang)(guang)刻成像質量(liang)、進而導致良率(lv)損失的(de)(de)(de)(de)重(zhong)要因素(su)之一。

圖(tu)1. (a)優化(hua)算法流(liu)程(cheng) (b)自(zi)適(shi)應(ying)分段(duan)策(ce)略樣(yang)例 (c) 自(zi)適(shi)應(ying)分段(duan)的合并(bing)與分裂

基(ji)于(yu)以(yi)上問題，微電子所研究員韋亞一(yi)課(ke)題組與北京(jing)理(li)工大學教授馬旭課(ke)題組合(he)作，提出了(le)一(yi)種基(ji)于(yu)遺傳算(suan)(suan)法(fa)(fa)(fa)的(de)(de)(de)(de)改進型掩模吸收層圖形的(de)(de)(de)(de)優化算(suan)(suan)法(fa)(fa)(fa)。該算(suan)(suan)法(fa)(fa)(fa)采用基(ji)于(yu)光(guang)刻(ke)圖像歸一(yi)化對數(shu)斜率(lv)和圖形邊緣誤差為基(ji)礎的(de)(de)(de)(de)評(ping)價(jia)函(han)數(shu)，采用自適應編碼和逐(zhu)次(ci)逼近的(de)(de)(de)(de)修正策略，獲得了(le)更高的(de)(de)(de)(de)修正效率(lv)和補償精度。算(suan)(suan)法(fa)(fa)(fa)的(de)(de)(de)(de)有(you)效應性通過對比不同掩模基(ji)板缺(que)陷(xian)的(de)(de)(de)(de)矩(ju)形接觸孔修正前后的(de)(de)(de)(de)光(guang)刻(ke)空間像進行了(le)測(ce)試和評(ping)估(gu)。

結果(guo)表(biao)明，該(gai)方法能有效地抑制(zhi)掩模基板缺陷(xian)的影響，提高光刻成(cheng)像結果(guo)的保真度，并且具(ju)有較高的收斂(lian)效率(lv)和掩模可制(zhi)造性(xing)。

圖2. (a)對(dui)(dui)不(bu)(bu)同(tong)大小的(de)(de)(de)基(ji)板(ban)(ban)(ban)缺陷(xian)的(de)(de)(de)補(bu)償仿(fang)真結果 (b) 對(dui)(dui)不(bu)(bu)同(tong)位置的(de)(de)(de)基(ji)板(ban)(ban)(ban)缺陷(xian)的(de)(de)(de)補(bu)償仿(fang)真結果 (c) 對(dui)(dui)復雜圖形的(de)(de)(de)基(ji)板(ban)(ban)(ban)缺陷(xian)的(de)(de)(de)補(bu)償仿(fang)真結果 (d) 對(dui)(dui)不(bu)(bu)同(tong)位置的(de)(de)(de)基(ji)板(ban)(ban)(ban)缺陷(xian)的(de)(de)(de)補(bu)償、使用不(bu)(bu)同(tong)優(you)化算法，目標函數收(shou)斂速度的(de)(de)(de)比較

相(xiang)關(guan)成果以Compensation of EUV lithography mask blank defect based on an advanced genetic algorithm為題(ti)發表在《光學(xue)快報》（Optics Express）上。此項研究得到(dao)國家(jia)自(zi)然科(ke)學(xue)基(ji)(ji)金、國家(jia)重(zhong)點研究開(kai)發計劃、北(bei)京市自(zi)然科(ke)學(xue)基(ji)(ji)金、中(zhong)科(ke)院等項目(mu)資(zi)助。

相關鏈接：//szdcj.net/show/115.html