納米激光器是由納米線等納米材料作為諧振腔，在光激發或電激發下能夠出射激光的微納器件。這種激光器的尺寸往往只有數百微米甚至幾十微米，直徑更是達到納米量級，是未來薄膜顯示、集成光學等領域中的重要組成部分。

2003年1月16日出版的(de)(de)(de)(de)雜(za)志曾報(bao)(bao)道，美國哈佛大學成(cheng)功開發出一種(zhong)新型(xing)納米激(ji)(ji)光器，它(ta)比人(ren)的(de)(de)(de)(de)頭(tou)發絲還(huan)細千倍，安裝(zhuang)在微芯片上(shang)(shang)，能提高計算(suan)機磁(ci)盤(pan)和光子(zi)計算(suan)機的(de)(de)(de)(de)信息存(cun)儲量。這種(zhong)新型(xing)激(ji)(ji)光器乃是用(yong)半(ban)導體硫化鎘制成(cheng)的(de)(de)(de)(de)納米線，直徑只有(you)萬(wan)分之一毫米。2014年，浙(zhe)江大學在《NanoLetters》上(shang)(shang)刊文(wen)，介(jie)紹了其(qi)開發的(de)(de)(de)(de)一種(zhong)波長(chang)連(lian)續可調的(de)(de)(de)(de)納米激(ji)(ji)光器，其(qi)出射激(ji)(ji)光的(de)(de)(de)(de)波長(chang)范圍達到(dao)119納米，覆(fu)蓋紅綠藍(lan)三種(zhong)顏(yan)色，是目(mu)前報(bao)(bao)道的(de)(de)(de)(de)出射光譜(pu)范圍最(zui)寬的(de)(de)(de)(de)納米激(ji)(ji)光器。

納米激光器的分類：

1.納米導線激光器

2001年，美國加利(li)福尼亞(ya)大學伯克(ke)利(li)分校的(de)研(yan)究人員(yuan)(yuan)在(zai)只及人的(de)頭發絲千分之一的(de)納(na)米(mi)光(guang)導(dao)線上制造出世(shi)界最(zui)小的(de)激(ji)(ji)光(guang)器(qi)—納(na)米(mi)激(ji)(ji)光(guang)器(qi)。這種(zhong)激(ji)(ji)光(guang)器(qi)不僅能(neng)發射紫外(wai)激(ji)(ji)光(guang)，經(jing)過(guo)調(diao)整后(hou)還能(neng)發射從(cong)藍色(se)到深紫外(wai)的(de)激(ji)(ji)光(guang)。研(yan)究人員(yuan)(yuan)使用(yong)一種(zhong)稱(cheng)為取向附生的(de)標準技術，用(yong)純氧(yang)(yang)化(hua)鋅(xin)晶體制造了這種(zhong)激(ji)(ji)光(guang)器(qi)。他們先(xian)是“培養”納(na)米(mi)導(dao)線，即(ji)在(zai)金層上形成(cheng)直徑(jing)為20nm～150nm，長度為10000nm的(de)純氧(yang)(yang)化(hua)鋅(xin)導(dao)線。然后(hou)，當研(yan)究人員(yuan)(yuan)在(zai)溫室下(xia)用(yong)另一種(zhong)激(ji)(ji)光(guang)將(jiang)納(na)米(mi)導(dao)線中的(de)純氧(yang)(yang)化(hua)鋅(xin)晶體激(ji)(ji)活時，純氧(yang)(yang)化(hua)鋅(xin)晶體會發射波(bo)長只有17nm的(de)激(ji)(ji)光(guang)。這種(zhong)納(na)米(mi)激(ji)(ji)光(guang)器(qi)最(zui)終有可能(neng)被用(yong)于鑒別化(hua)學物質，提高計算(suan)機(ji)磁盤和光(guang)子計算(suan)機(ji)的(de)信息存儲(chu)量。

2.紫外納米激光器 

繼微型激(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)光(guang)(guang)(guang)(guang)器(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)、微碟激(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)光(guang)(guang)(guang)(guang)器(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)、微環激(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)光(guang)(guang)(guang)(guang)器(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)、量子雪崩(beng)激(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)光(guang)(guang)(guang)(guang)器(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)問世后，美國(guo)加利(li)福尼亞伯克利(li)大學的(de)(de)化(hua)學家(jia)楊(yang)佩東及(ji)其同事(shi)制成了(le)室溫(wen)(wen)納(na)(na)(na)米(mi)(mi)(mi)(mi)激(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)光(guang)(guang)(guang)(guang)器(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)。這種氧化(hua)鋅納(na)(na)(na)米(mi)(mi)(mi)(mi)激(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)光(guang)(guang)(guang)(guang)器(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)在(zai)(zai)(zai)(zai)光(guang)(guang)(guang)(guang)激(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)勵下(xia)能(neng)發(fa)(fa)射(she)(she)線(xian)(xian)(xian)寬小(xiao)(xiao)于(yu)(yu)0.3nm、波長為(wei)(wei)385nm的(de)(de)激(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)光(guang)(guang)(guang)(guang)，被認為(wei)(wei)是世界上(shang)(shang)最小(xiao)(xiao)的(de)(de)激(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)光(guang)(guang)(guang)(guang)器(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)，也是采用納(na)(na)(na)米(mi)(mi)(mi)(mi)技術(shu)制造的(de)(de)首(shou)批(pi)實際器(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)之(zhi)一。在(zai)(zai)(zai)(zai)開(kai)發(fa)(fa)的(de)(de)初始階段，研究人(ren)員就(jiu)預(yu)言這種ZnO納(na)(na)(na)米(mi)(mi)(mi)(mi)激(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)光(guang)(guang)(guang)(guang)器(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)容易制作、亮度(du)高(gao)(gao)、體積小(xiao)(xiao)，性能(neng)等(deng)同甚至優(you)于(yu)(yu)GaN藍光(guang)(guang)(guang)(guang)激(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)光(guang)(guang)(guang)(guang)器(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)。由(you)于(yu)(yu)能(neng)制作高(gao)(gao)密度(du)納(na)(na)(na)米(mi)(mi)(mi)(mi)線(xian)(xian)(xian)陣(zhen)列，所以(yi)，ZnO納(na)(na)(na)米(mi)(mi)(mi)(mi)激(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)光(guang)(guang)(guang)(guang)器(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)可以(yi)進(jin)入許多(duo)今天的(de)(de)GaAs器(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)不(bu)可能(neng)涉及(ji)的(de)(de)應用領域。為(wei)(wei)了(le)生(sheng)長這種激(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)光(guang)(guang)(guang)(guang)器(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)，ZnO納(na)(na)(na)米(mi)(mi)(mi)(mi)線(xian)(xian)(xian)要用催化(hua)外延晶體生(sheng)長的(de)(de)氣(qi)相(xiang)輸(shu)運法合成。首(shou)先，在(zai)(zai)(zai)(zai)藍寶石襯底上(shang)(shang)涂敷(fu)一層1 nm~3.5nm厚(hou)的(de)(de)金膜，然(ran)(ran)后把它放到一個(ge)氧化(hua)鋁舟上(shang)(shang)，將材料(liao)和襯底在(zai)(zai)(zai)(zai)氨氣(qi)流(liu)中(zhong)加熱到880℃~905℃，產生(sheng)Zn蒸汽，再將Zn蒸汽輸(shu)運到襯底上(shang)(shang)，在(zai)(zai)(zai)(zai)2min~10min的(de)(de)生(sheng)長過程內生(sheng)成截(jie)面積為(wei)(wei)六邊形的(de)(de)2μm~10μm的(de)(de)納(na)(na)(na)米(mi)(mi)(mi)(mi)線(xian)(xian)(xian)。研究人(ren)員發(fa)(fa)現，ZnO納(na)(na)(na)米(mi)(mi)(mi)(mi)線(xian)(xian)(xian)形成天然(ran)(ran)的(de)(de)激(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)光(guang)(guang)(guang)(guang)腔，其直徑(jing)為(wei)(wei)20nm~150nm，其大部分（95%）直徑(jing)在(zai)(zai)(zai)(zai)70nm~100nm。為(wei)(wei)了(le)研究納(na)(na)(na)米(mi)(mi)(mi)(mi)線(xian)(xian)(xian)的(de)(de)受(shou)激(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)發(fa)(fa)射(she)(she)，研究人(ren)員用Nd:YAG激(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)光(guang)(guang)(guang)(guang)器(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)（266nm波長，3ns脈寬）的(de)(de)四次諧(xie)波輸(shu)出(chu)在(zai)(zai)(zai)(zai)溫(wen)(wen)室下(xia)對樣品(pin)進(jin)行光(guang)(guang)(guang)(guang)泵(beng)浦。在(zai)(zai)(zai)(zai)發(fa)(fa)射(she)(she)光(guang)(guang)(guang)(guang)譜(pu)(pu)演變期間，光(guang)(guang)(guang)(guang)隨泵(beng)浦功率的(de)(de)增大而激(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)射(she)(she)，當激(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)射(she)(she)超過ZnO納(na)(na)(na)米(mi)(mi)(mi)(mi)線(xian)(xian)(xian)的(de)(de)閾值（約(yue)為(wei)(wei)40kW/cm）時，發(fa)(fa)射(she)(she)光(guang)(guang)(guang)(guang)譜(pu)(pu)中(zhong)會出(chu)現最高(gao)(gao)點，這些(xie)最高(gao)(gao)點的(de)(de)線(xian)(xian)(xian)寬小(xiao)(xiao)于(yu)(yu)0.3nm，比閾值以(yi)下(xia)自(zi)發(fa)(fa)射(she)(she)頂點的(de)(de)線(xian)(xian)(xian)寬小(xiao)(xiao)1/50以(yi)上(shang)(shang)。這些(xie)窄的(de)(de)線(xian)(xian)(xian)寬及(ji)發(fa)(fa)射(she)(she)強度(du)的(de)(de)迅(xun)速(su)提高(gao)(gao)使研究人(ren)員得出(chu)結論：受(shou)激(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)發(fa)(fa)射(she)(she)的(de)(de)確發(fa)(fa)生(sheng)在(zai)(zai)(zai)(zai)這些(xie)納(na)(na)(na)米(mi)(mi)(mi)(mi)線(xian)(xian)(xian)中(zhong)。因(yin)此，這種納(na)(na)(na)米(mi)(mi)(mi)(mi)線(xian)(xian)(xian)陣(zhen)列可以(yi)作為(wei)(wei)天然(ran)(ran)的(de)(de)諧(xie)振腔，進(jin)而成為(wei)(wei)理(li)想的(de)(de)微型激(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)光(guang)(guang)(guang)(guang)光(guang)(guang)(guang)(guang)源。研究人(ren)員相(xiang)信，這種短波長納(na)(na)(na)米(mi)(mi)(mi)(mi)激(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)光(guang)(guang)(guang)(guang)器(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)可應用在(zai)(zai)(zai)(zai)光(guang)(guang)(guang)(guang)計(ji)算(suan)、信息存儲和納(na)(na)(na)米(mi)(mi)(mi)(mi)分析儀(yi)等(deng)領域中(zhong)。  

3.量子阱激光器  

2010年(nian)前后，蝕(shi)刻在半(ban)導體片上的(de)(de)線路寬度將(jiang)達(da)到100nm以下(xia)，在電路中移動的(de)(de)將(jiang)只有(you)(you)少數幾個電子(zi)(zi)，一(yi)個電子(zi)(zi)的(de)(de)增(zeng)加和減少都會給(gei)電路的(de)(de)運行造成很(hen)大影響。為了(le)解決(jue)這一(yi)問題，量(liang)子(zi)(zi)阱(jing)激(ji)(ji)光(guang)器(qi)就誕生(sheng)了(le)。在量(liang)子(zi)(zi)力學中，把能夠(gou)對電子(zi)(zi)的(de)(de)運動產生(sheng)約(yue)束(shu)并使其(qi)量(liang)子(zi)(zi)化的(de)(de)勢場稱之(zhi)成為量(liang)子(zi)(zi)阱(jing)。而利用(yong)這種量(liang)子(zi)(zi)約(yue)束(shu)在半(ban)導體激(ji)(ji)光(guang)器(qi)的(de)(de)有(you)(you)源層中形成量(liang)子(zi)(zi)能級(ji)，使能級(ji)之(zhi)間的(de)(de)電子(zi)(zi)躍遷支配激(ji)(ji)光(guang)器(qi)的(de)(de)受激(ji)(ji)輻射，這就是量(liang)子(zi)(zi)阱(jing)激(ji)(ji)光(guang)器(qi)。量(liang)子(zi)(zi)阱(jing)激(ji)(ji)光(guang)器(qi)有(you)(you)兩種類型：量(liang)子(zi)(zi)線激(ji)(ji)光(guang)器(qi)和量(liang)子(zi)(zi)點激(ji)(ji)光(guang)器(qi)。  

①量子線激光器  

隨著科(ke)學家研(yan)制(zhi)出功(gong)率(lv)(lv)比傳(chuan)統激(ji)光器(qi)大(da)1000倍的(de)(de)量子線激(ji)光器(qi)，從而向創造(zao)速度(du)更快的(de)(de)計算機(ji)和(he)通(tong)信設備邁進了一(yi)大(da)步。這種激(ji)光器(qi)可以提高音頻(pin)、視頻(pin)、因(yin)特網及(ji)其他采用光纖網絡的(de)(de)通(tong)信方式(shi)的(de)(de)速度(du)，它是由來自耶魯大(da)學、位于新(xin)澤西(xi)洲的(de)(de)朗訊科(ke)技公司(si)貝爾實驗室及(ji)德國德累斯頓馬克斯·普(pu)朗克物理研(yan)究所的(de)(de)科(ke)學家們共同研(yan)制(zhi)的(de)(de)。這些較高功(gong)率(lv)(lv)的(de)(de)激(ji)光器(qi)會減少(shao)對昂貴的(de)(de)中繼(ji)器(qi)的(de)(de)要求，因(yin)為(wei)這些中繼(ji)器(qi)在通(tong)信線路中每(mei)隔80km（50mile）安裝一(yi)個，再次(ci)產生激(ji)光脈(mo)沖(chong)，脈(mo)沖(chong)在光纖中傳(chuan)播(bo)時強度(du)會減弱（中繼(ji)器(qi)）。   

②量子點激光器  

由直徑(jing)小于20nm的(de)(de)一堆物(wu)質(zhi)構成(cheng)(cheng)或者相當(dang)于60個硅(gui)原(yuan)子(zi)(zi)排成(cheng)(cheng)一串的(de)(de)長度(du)的(de)(de)量(liang)子(zi)(zi)點(dian)，可(ke)以控制非(fei)常小的(de)(de)電(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)群的(de)(de)運動(dong)而(er)不與量(liang)子(zi)(zi)效應(ying)沖突。科學(xue)家們希(xi)望用量(liang)子(zi)(zi)點(dian)代替量(liang)子(zi)(zi)線獲得(de)更大(da)的(de)(de)收獲，但(dan)是(shi)，研究人(ren)員已制成(cheng)(cheng)的(de)(de)量(liang)子(zi)(zi)點(dian)激光器(qi)卻不盡人(ren)意(yi)。原(yuan)因是(shi)多方面的(de)(de)，包括制造一些大(da)小幾乎完全(quan)相同的(de)(de)電(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)群有困難(nan)。大(da)多數量(liang)子(zi)(zi)裝置(zhi)要在極低(di)的(de)(de)溫度(du)條件下工(gong)(gong)作，甚至(zhi)微小的(de)(de)熱量(liang)也會使電(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)變得(de)難(nan)以控制，并且陷入量(liang)子(zi)(zi)效應(ying)的(de)(de)困境(jing)。但(dan)是(shi)，通過改變材(cai)料使量(liang)子(zi)(zi)點(dian)能(neng)夠(gou)更牢(lao)地約束電(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)，日本電(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)技術(shu)實(shi)驗(yan)室(shi)(shi)的(de)(de)松本和斯(si)坦福大(da)學(xue)的(de)(de)詹姆(mu)斯(si)和哈里斯(si)等(deng)少數幾位工(gong)(gong)程(cheng)師(shi)最近已制成(cheng)(cheng)可(ke)在室(shi)(shi)溫下工(gong)(gong)作的(de)(de)單電(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)晶體管。但(dan)很多問題仍有待解決，開(kai)關速(su)度(du)不高(gao)，偶然的(de)(de)電(dian)(dian)(dian)能(neng)容易使單個電(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)脫離預(yu)定(ding)的(de)(de)路線。因此，大(da)多數科學(xue)家正(zheng)在努力研制全(quan)新的(de)(de)方法(fa)，而(er)不是(shi)仿照計算(suan)機(ji)設計量(liang)子(zi)(zi)裝置(zhi)。 

4.微腔激光器  

微腔激光(guang)器是當代半導體研(yan)究領(ling)域(yu)的熱點(dian)之一，它采用了現代超精細加工技術和超薄(bo)材料加工技術，具有高集成度、低(di)噪聲的特(te)點(dian)，其(qi)功(gong)耗(hao)(hao)低(di)的特(te)點(dian)尤為顯著，100萬個激光(guang)器同時工作，功(gong)耗(hao)(hao)只有5W。  

該(gai)激光(guang)(guang)器(qi)主要的類型(xing)就是(shi)微碟(die)激光(guang)(guang)器(qi)，即一種形如(ru)碟(die)型(xing)的微腔激光(guang)(guang)器(qi)，最早由(you)貝爾實驗室(shi)開發成(cheng)功(gong)。其內部為采用先進的蝕(shi)刻工(gong)藝(yi)蝕(shi)刻出的直(zhi)徑只(zhi)(zhi)有幾(ji)微米、厚度(du)只(zhi)(zhi)有100nm的極薄的微型(xing)園碟(die)，園碟(die)的周(zhou)圍是(shi)空(kong)氣(qi)，下面靠一個微小的底座支撐。由(you)于半導體和空(kong)氣(qi)的折射(she)(she)率相差很大，微碟(die)內產(chan)生的光(guang)(guang)在此(ci)結構內發射(she)(she)，直(zhi)到所產(chan)生的光(guang)(guang)波積累足夠多的能量(liang)后沿(yan)著它的邊(bian)緣折射(she)(she)，這(zhe)種激光(guang)(guang)器(qi)的工(gong)作(zuo)效率很高、能量(liang)閾值很低，工(gong)作(zuo)時只(zhi)(zhi)需大約100μA的電流。 

自從McCall等人1992年報(bao)道了(le)(le)用低溫(wen)光抽(chou)運 InGaAsP系材料(liao)制造的(de)微(wei)腔(qiang)激(ji)光器(qi)(qi)以來，半導體(ti)(ti)微(wei)碟激(ji)光器(qi)(qi)先后在GaAlAs/GaAs、GaN/A1GaN、InGaN/GaN等多種(zhong)(zhong)新(xin)材料(liao)體(ti)(ti)系中以脈沖(chong)室(shi)溫(wen)電(dian)抽(chou)運和連續(xu)(xu)室(shi)溫(wen)電(dian)抽(chou)運和連續(xu)(xu)室(shi)溫(wen)光抽(chou)運等多種(zhong)(zhong)工作方式實現了(le)(le)激(ji)光發(fa)(fa)射(she)。美國加利福(fu)尼亞(ya)大(da)學、伊利諾(nuo)伊州(zhou)Northwesten大(da)學、貝爾實驗(yan)室(shi)、俄勒岡大(da)學、日本YoKohama National大(da)學和朝鮮科學與(yu)技術高級(ji)研究學院等均開(kai)展了(le)(le)InGaAs/InGaAsP量子阱的(de)研究和量子級(ji)聯微(wei)碟激(ji)光器(qi)(qi)的(de)開(kai)發(fa)(fa)和研究，并(bing)已取得了(le)(le)很大(da)的(de)進展。  

在國(guo)內(nei)，長春光(guang)(guang)(guang)學(xue)精密機械學(xue)院高功率(lv)半導(dao)體激(ji)(ji)光(guang)(guang)(guang)國(guo)家重(zhong)點實驗室和中國(guo)科學(xue)院北京半導(dao)體研(yan)究所從經典量(liang)子電動力學(xue)理(li)(li)(li)論出發研(yan)究了微(wei)(wei)碟激(ji)(ji)光(guang)(guang)(guang)器的工作原理(li)(li)(li)，采用(yong)光(guang)(guang)(guang)刻、反(fan)應(ying)離子刻蝕(shi)和選擇(ze)化學(xue)腐蝕(shi)等(deng)微(wei)(wei)細加工技術(shu)制備出直徑(jing)為9.5μm、低溫光(guang)(guang)(guang)抽運(yun)InGaAs/InGaAsP多量(liang)子阱碟狀微(wei)(wei)腔激(ji)(ji)光(guang)(guang)(guang)器。它在光(guang)(guang)(guang)通訊、光(guang)(guang)(guang)互聯和光(guang)(guang)(guang)信(xin)息處理(li)(li)(li)等(deng)方(fang)面有(you)著(zhu)很好的應(ying)用(yong)前景，可用(yong)作信(xin)息高速公路中最(zui)理(li)(li)(li)想(xiang)的光(guang)(guang)(guang)源。

微(wei)(wei)腔(qiang)光(guang)(guang)(guang)(guang)子(zi)(zi)技(ji)術(shu)，如微(wei)(wei)腔(qiang)探測器(qi)(qi)、微(wei)(wei)腔(qiang)諧(xie)振器(qi)(qi)、微(wei)(wei)腔(qiang)光(guang)(guang)(guang)(guang)晶體管、微(wei)(wei)腔(qiang)放大器(qi)(qi)及其(qi)集(ji)(ji)(ji)成(cheng)(cheng)技(ji)術(shu)研(yan)究的(de)(de)(de)突破，可使超(chao)大規(gui)(gui)模集(ji)(ji)(ji)成(cheng)(cheng)光(guang)(guang)(guang)(guang)子(zi)(zi)回路(lu)(lu)(lu)成(cheng)(cheng)為現(xian)實(shi)。因(yin)此(ci)，包括美國(guo)在內(nei)的(de)(de)(de)一(yi)些(xie)發達(da)國(guo)家都在微(wei)(wei)腔(qiang)激(ji)光(guang)(guang)(guang)(guang)器(qi)(qi)的(de)(de)(de)研(yan)究方面投人(ren)大量的(de)(de)(de)人(ren)力和物(wu)力。長(chang)春光(guang)(guang)(guang)(guang)機與(yu)物(wu)理(li)所的(de)(de)(de)科(ke)技(ji)人(ren)員打破常規(gui)(gui)，用(yong)光(guang)(guang)(guang)(guang)刻方法實(shi)現(xian)了碟(die)型微(wei)(wei)腔(qiang)激(ji)光(guang)(guang)(guang)(guang)器(qi)(qi)件(jian)的(de)(de)(de)圖形轉移(yi)，用(yong)濕(shi)法及干(gan)法刻蝕(shi)技(ji)術(shu)制作(zuo)出(chu)(chu)碟(die)型微(wei)(wei)腔(qiang)結構(gou)，在國(guo)內(nei)首次(ci)研(yan)制出(chu)(chu)直徑(jing)分別為8μm、4.5μm和2μm的(de)(de)(de)光(guang)(guang)(guang)(guang)泵浦(pu)(pu)InGaAs/InGaAsP微(wei)(wei)碟(die)激(ji)光(guang)(guang)(guang)(guang)器(qi)(qi)。其(qi)中，2μm直徑(jing)的(de)(de)(de)微(wei)(wei)碟(die)激(ji)光(guang)(guang)(guang)(guang)器(qi)(qi)在77K溫度(du)下的(de)(de)(de)激(ji)射(she)(she)闊(kuo)值(zhi)功(gong)率為5μW，是(shi)國(guo)際上(shang)報(bao)道中的(de)(de)(de)最(zui)好(hao)水平。此(ci)外(wai)，他(ta)們(men)還在國(guo)內(nei)首次(ci)研(yan)制出(chu)(chu)激(ji)射(she)(she)波長(chang)為1.55μm，激(ji)射(she)(she)閾(yu)值(zhi)電(dian)(dian)流為2.3mA，在77K下激(ji)射(she)(she)直徑(jing)為10μm的(de)(de)(de)電(dian)(dian)泵浦(pu)(pu)InGaAs/InGaAsP微(wei)(wei)碟(die)激(ji)光(guang)(guang)(guang)(guang)器(qi)(qi)以及國(guo)際上(shang)首個(ge)帶有引出(chu)(chu)電(dian)(dian)極結構(gou)的(de)(de)(de)電(dian)(dian)泵浦(pu)(pu)微(wei)(wei)柱激(ji)光(guang)(guang)(guang)(guang)器(qi)(qi)。值(zhi)得一(yi)提的(de)(de)(de)是(shi)，這種微(wei)(wei)碟(die)激(ji)光(guang)(guang)(guang)(guang)器(qi)(qi)具有高(gao)集(ji)(ji)(ji)成(cheng)(cheng)度(du)、低(di)閾(yu)值(zhi)、低(di)功(gong)耗、低(di)噪聲、極高(gao)的(de)(de)(de)響應、可動(dong)態(tai)模式工(gong)作(zuo)等優(you)點，在光(guang)(guang)(guang)(guang)通信、光(guang)(guang)(guang)(guang)互(hu)(hu)連、光(guang)(guang)(guang)(guang)信息(xi)處理(li)等方面的(de)(de)(de)應用(yong)前景(jing)廣闊(kuo)，可用(yong)于大規(gui)(gui)模光(guang)(guang)(guang)(guang)子(zi)(zi)器(qi)(qi)件(jian)集(ji)(ji)(ji)成(cheng)(cheng)光(guang)(guang)(guang)(guang)路(lu)(lu)(lu)，并可與(yu)光(guang)(guang)(guang)(guang)纖通信網(wang)絡(luo)和大規(gui)(gui)模、超(chao)大規(gui)(gui)模集(ji)(ji)(ji)成(cheng)(cheng)電(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)匹配，組成(cheng)(cheng)光(guang)(guang)(guang)(guang)電(dian)(dian)子(zi)(zi)信息(xi)集(ji)(ji)(ji)成(cheng)(cheng)網(wang)絡(luo)，是(shi)當代信息(xi)高(gao)速公路(lu)(lu)(lu)技(ji)術(shu)中最(zui)理(li)想(xiang)的(de)(de)(de)光(guang)(guang)(guang)(guang)源；同時，可以和其(qi)他(ta)光(guang)(guang)(guang)(guang)電(dian)(dian)子(zi)(zi)元(yuan)(yuan)件(jian)實(shi)現(xian)單元(yuan)(yuan)集(ji)(ji)(ji)成(cheng)(cheng)，用(yong)于邏輯運算、光(guang)(guang)(guang)(guang)網(wang)絡(luo)中的(de)(de)(de)光(guang)(guang)(guang)(guang)互(hu)(hu)連等。  

5.新型納米激光器  

據(ju)報道，世界上最早的納(na)(na)米(mi)激(ji)(ji)光器是(shi)由美(mei)國(guo)加州大學伯克利分校的科學家(jia)于2001年制(zhi)造的，當(dang)時(shi)使用(yong)的是(shi)氧(yang)化鋅納(na)(na)米(mi)線，可發射(she)(she)紫外光，經(jing)過調(diao)整后還(huan)能發射(she)(she)從(cong)藍色到深紫外的激(ji)(ji)光。但是(shi)，美(mei)中不足的是(shi)只(zhi)有用(yong)另一束激(ji)(ji)光將納(na)(na)米(mi)線中的氧(yang)化鋅晶體激(ji)(ji)活(huo)，其(qi)才(cai)會(hui)(hui)發射(she)(she)出(chu)激(ji)(ji)光。而新型納(na)(na)米(mi)激(ji)(ji)光器具(ju)備了電子自動開(kai)關的性能，無需借助外力激(ji)(ji)活(huo)，這無疑會(hui)(hui)使其(qi)實用(yong)性大為增強。

產品鏈接：//szdcj.net/show/366.html    //szdcj.net/show/124.html    //szdcj.net/show/126.html